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输入要查询的单词：
trench-gate field-stop
网络释义
沟槽式场截止
意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟槽式场截止（trench-gate field-stop）技术为特色，可最大幅度地降低电压过冲，消除关机期间常出现的振荡现象，有效提升太阳能逆变器、焊接设备、不断电系统与工业马达...
沟栅式场截止型
采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平...
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