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short channel effect
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https://www.dute.org/dict/short_channel_effect复制链接 短沟道效应：当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应，包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热电子效应。
网络释义
短通道效应
薄氧化层带来了优点,如导通电流增加,短通道效应(Short Channel Effect)的抑止,等;但也引发出不少问题.最近的研究显示,当氧化层厚度小于3nm,元件的操件会由漏电流所限制.
短沟道效应
第三章扩散 作业 第三章扩散 作业 1、短沟道效应(Short Channel Effect) :短沟道效应主要是指阈值电压与沟道 相关到非常严重的程度。源-漏两极的 p-n 结将参与对位于栅极下.
道效应
当MOSFETs 持续缩小到0.1μm 以下，需要极浅接面用來抑制短 通道效应( Short Channel Effect, SCE )，不过减少接面深度会造成较大 的源极/汲极寄生电阻。
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