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metal organic chemical vapor deposition
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https://www.dute.org/dict/metal_organic_chemical_vapor_deposition复制链接 有机金属化学气相沉积法：有机金属化学气相沉积法（MOCVD）是一种在基板上成长半导体薄膜的方法。它使用金属化合物或有机金属化合物作为反应源，在气相条件下进行沉积。这种方法可以制备非晶形薄膜或具有晶形的薄膜。
网络释义
金属有机物化学气相沉积
...金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。
主要以有机金属气相磊晶成长法
, Ltd ,VPEC)1996年11月成立于桃园,主要以有机金属气相磊晶成长法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MO..
扩充有机金属化学气相磊晶
品世界 因韩国、台湾与大陆等地区LED厂自2009年以来陆续扩充有机金属化学气相磊晶(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)设备产能，带动全球蓝宝石晶棒需求增加，然2009年全球蓝宝石晶棒厂扩产趋于保守，致使2010年全球蓝宝石晶棒供货不足，以2吋...
常用短语
- Metal-organic Chemical Vapor Deposition有机金属化学气相沉积；相沉积；金属化学气相沉积；化学气相沉积
- plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition等离子体金属有机物化学汽相淀积
- atmospheric-presure metal-organic chemical vapor deposition常压金属化学气相沉积法
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