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mc-Si

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多晶硅(multicrystalline silicon)

网络释义
多晶硅
体寿命和少数载流子的扩散长度的变化通过一个铸造多晶硅(MC-Si)的块的高度。这种变化是由于定向凝固和本机的杂质浓度的增加,从底部到顶部的锭,最后凝固过程中的金属杂质的偏析,而固化的第一...
微晶硅
在350°C下,于结晶硅层的顶部淀积厚75nm的n+微晶硅(mc-Si)作为源/漏极。原来的多晶硅层用活性离子腐蚀成TFT花样,n+ mc-Si也用活性离子腐蚀法刻蚀成源/漏极。
多晶硅电池
c-Si(单晶硅电池)、mc-Si(多晶硅电池)测量:
在用低成本的多晶硅
《半导体科技》 种能源的应用而言,目前它还是处于初始的开发阶段... 二氧化硅层——高效率晶体太阳能电池的关键 在用低成本的多晶硅(multicrystallinesilicon,mc-Si) 材料来替代高成本的单晶硅材料的同时,高效率的晶体太阳能电池还必须进一步提升它的性能。一种改善了光俘
常用短语
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