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gate oxide
查词链接：
https://www.dute.org/dict/gate_oxide复制链接 栅氧化物：一种用于晶体管制造中的氧化物材料，通常被用于形成晶体管的栅极。
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abstract:
The gate oxide is the dielectric layer that separates the gate terminal of a MOSFET from the underlying source and drain terminals as well as the conductive channel that connects source and drain when the transistor is turned on. Gate oxide is formed by oxidizing the silicon of the channel to form a thin (5 - 200 nm) insulating layer of silicon dioxide.
网络释义
栅氧化层
栅隧穿电流分量研究_电子行业学术文章_质量学术文章_电子质量E周刊 关键词： MOS器件；栅氧化层；隧穿 [gap=480]Key words: MOS devices;gate oxide;tunneling
闸极氧化层
为此，晶圆厂已尝试运用包括减少导线间闸极氧化层(Gate Oxide)，或在16及14纳米制程增加动态电力密度，甚至采用更大型、更昂贵的次世代制程因应越趋复杂的设计，以解决秏电问题。
以及氧化栅极
为节制电流的结晶体管门(transistor gate)以及氧化栅极(gate oxide)间隔将很是贴近，因此， 将发生电子漂移征象 ( electrons drift )如果发生这类情况，结晶体管会失去靠患上住性，缘故原由是结晶体...
门氧化物
... 选通脉冲宽度, 门信号宽度 gate length 门氧化物 gate oxide 门交换 gate swap ...
常用短语
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