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Strained silicon

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应变硅；应变矽

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abstract:

Strained silicon is a layer of silicon in which the silicon atoms are stretched beyond their normal interatomic distance. This can be accomplished by putting the layer of silicon over a substrate of silicon germanium ().

网络释义

应变硅

应变硅（Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升...

应变硅晶

台积电的FinFET在这条走廊上还使用了应变硅晶（strained silicon）的技术，在外表薄薄一层的硅结晶中加入了3-5族原素的杂质一同结晶，由于3-5族晶格较大，所以会对靠近表层（很不巧也就是形成通道...

应变硅技术

此外，处理器采用的新型增强型应变硅技术（Strained Silicon）也为降低漏电流贡献了不小的力量。理论上讲如果能迫使硅原子的间距加大，就可减小电子通行所受到的阻碍，也就相当于减小了电阻。

张力硅

同时，这也是Intel第一款采用张力硅（strained silicon）技术的移动芯片。在张力硅中，由于原子在晶格中的间距更大，因此当电子通过晶格时受到的阻抗会更低。

常用短语

Dual-Stress Strained Silicon双应力应变硅；力应变硅
strained silicon technology应变硅技术
Fourth-generation Strained Silicon第四代应变硅技术
Enhanced Strained Silicon增强型应变硅技术
The second generation Strained Silicon使用改进型应变硅技术
strained silicon wafer成应变硅晶片
Strained silicon SOI应变硅SOI
Stress Strained Silicon双应力应变硅
generation Strained Silicon造工艺采用了他们的第四代应变硅

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Strained silicon

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