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Reduced SURface Field
网络释义
原意为降低表面电场
主要的电压范围是500～700V，目前用来制造LDMOS的唯一方法为RESURF技术，原意为降低表面电场（ reduced surface field）[9-10]，在1979年由J.A.Appels等人提出。
表面电场
在LDMOS器件设计过程中,击穿电压(breakdown voltage,BV)一直是一项至关重要的参数.自从减小表面电场(reduced surface field,RESURF)技术[14]提出以来,通过电场调制效应来改善器件横向表面电场分布,提高器件击穿特性一直是一个备受关注的..
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