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Phase Change Memory

查词链接:https://www.dute.org/dict/phase_change_memory复制链接
相变存储器:一种非易失性计算机内存技术,利用材料在晶体态和非晶体态之间的相变来存储数据。

网络释义
相变存储器
...的制作工艺接近极限,可扩展性越来越差,它已经无法满足当前市场对于高性能、大容量的存储器需求。相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种新型存储器,它具有非易失性、高集成度、低静态能耗、字节寻址等优点,因而备受关注。
相变内存
相变内存(Phase Change Memory,PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一,针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况,工研院IEK-ITIS...
相变化内存
从技术来看,相变化内存(Phase Change Memory)是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存,采用相变化薄膜作为相变化内存之核心,具有与传...
相变化存储器
度较DRAM快逾千倍 在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中,全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣,并投入大量时间从事研发,最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破,据称可让PCM...
常用短语
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