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...材料可为硅、锗化硅(SiGe)或者碳化硅(SiC)。然后，去除牺牲间隙壁114，接下来，进行轻掺杂离子注入工艺和激光退火(laser anneal)，在栅极结构104的偏间隙壁112两侧的基底102和外延层204的表面，形成漏极/源极延伸区304。

...限，当来到65与45奈米技术世代突破性的离子布值技术与回火制程是绝对必要的，离子共同植入(codoping)、雷射回火(Laser Annealing)与高角度离子植入技术等已广为研究与讨论，并被视为最有机会达到新世代超浅层结合区形成技术的需求。

...先进拟共同透过本计画之执行，开发适合电动车使用的1200伏特高功率高功率绝缘闸双极型电晶体元件，并以雷射退火（Laser Anneal）制程技术研发最先进的回火制程，期能大幅降低制造成本并得到较高的良率。

LTPS与传统非晶硅(a-Si)相比，LTPS的薄膜晶体管经过高于900℃镭射退火（Laser anneal）的处理，将非晶硅（a-Si）的薄膜转变为多晶硅（Poly-Si）薄膜层。