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High-k Metal Gate
网络释义
金属闸极
半导体制造业者在28奈米制程节点导入的高介电常数金属闸极（High-k Metal Gate，HKMG），即是利用高介电常数材料来增加电容值，以达到降低漏电流的目的。
金属闸
双方目前在28奈米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-k metal gate，HKMG)的高效能制程技术以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)的低耗电高速制程技...
高电介质金属栅极
IBM早在今年1月29日，就和索尼、东芝等研究伙伴就宣布开始投入“高电介质金属栅极”(High-K Metal Gate)的研究。
高介电层
双方目前在28奈米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-k metal gate，HKMG)的高效能制程技术以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)的低耗电高速制程技...
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