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Deep Reactive Ion Etching
查词链接：
https://www.dute.org/dict/deep_reactive_ion_etching复制链接 深反应离子刻蚀：深反应离子刻蚀（DRIE）是一种高各向异性刻蚀过程，用于在芯片/基片中创建深入、陡峭的孔和沟槽，通常具有高纵横比。它最初是为了微机电系统（MEMS）而开发的，这些系统需要这些特征，但也用于挖掘高密度电容器的沟槽，用于DRAM，最近还用于在先进的三维芯片级封装技术中创建通过硅通孔（TSVs）。在DRIE中，将基片放置在反应器内，并引入几种气体。在气体混合物中产生等离子体，将气体分子分解成离子。离子加速并与被刻蚀材料的表面反应，形成另一个气体元素。这被称为反应离子刻蚀的化学部分。还有一个物理部分，如果离子具有足够的能量，它们可以在没有化学反应的情况下将原子从被刻蚀材料中击出。
网络释义
深层离子蚀刻技术
钻石游丝是运用DRIE深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)与德国GFD公司合作研制。
深反应离子刻蚀
...仪；悬空硅；深反应离子刻蚀 [gap=883]Keywords: Notching effect；anemometer；suspended silicon；deep reactive ion etching(DRIE) ...
离子蚀刻技术
...米就有大约2万个注射口，而每个注射口都有大约60至100微米长；研究者利用了一种名为深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)制造出了这种新型的纳米贴，该技术能够在电场中有效利用带电离子来选择性地“腐蚀”原料的表面，控制电场和离子就能够进行一种高...
利用深反应离子蚀刻
...所重用，例如用以制作计算机微型处理器，甚至从硅晶体薄片刻蚀出腕表部份的零件；利用深反应离子蚀刻(deep reactive ion etching, drie)技术，可以制作出微小的硅质机芯零件及保留硅晶体的特性：包括比钢材的硬度高出60%，但较之轻70%，完...
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